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0.18μm BCD工艺主要用在小尺寸的直流/直流和交流/直流转换等领域,是目前应用于消费电子以及汽车电子等领域主流的BCD工艺之一,具......
提出了一种具有低通网络的高速放大器拓扑,基于增益带宽约束条件和低通网络的特性的研究对高速放大器进行了优化设计.此外,基于中......
为了满足电池供电设备低功耗、低电压的要求,提出一种用于超低电压和低功率混合信号应用的、基于米勒补偿的两级全差分伪运算跨导......
基于0.18μm CMOS工艺开发了浅槽隔离（STI）场区抗总剂量辐射加固技术，采用离子注入技术使 STI/衬底界面处的 P 型硅反型阈值提高，从而......
图像传感器在已建立的相当大的市场基础上，销售额不断攀升，迎来了属于自己的销售旺期（见图1）。图像传感器市场发展如此之快，主要源于由......
基于0.18 μm BCD工艺,设计了一款可编程多协议串行接口芯片。该芯片采用数字和模拟混合信号芯片设计技术,实现了可编程协议选择、......
应对电源管理市场对18 V高压应用的需求,研制了一种无EPI、在一般Si衬底片上的、基于0.18μm CMOS工艺技术的集成横向扩散,金属-氧......
基于0.18μm CMOS工艺开发了抗总剂量辐射加固技术,制备的1.8 V NMOS器件常态性能良好,器件在500 krad（Si）剂量点时,阈值电压与关态......
研究表明,0.18μm BCD工艺中SAB膜的厚度对Logic EE IP的数据保持力特性有重大影响。SAB膜越厚,Logic EE IP的数据保持力特性越好;......
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